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氬離子拋光技術簡介:
氬離子拋光技術,又稱離子研磨CP截面拋光技術,是利用氬離子束對樣品表面或者截面進行轟擊,以獲得表面光滑的拋光截面和平面樣品,而不會對樣品造成機械損害。去除損傷層,從而得到高質量樣品,用于在SEM,光鏡或者掃描探針顯微鏡上進行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。在材料科學、生命科學、地質科學、電子、工業制造等熱點領域可發揮重要作用。
氬離子拋光技術特點:
1、離子平面拋光和離子切割一體化技術,一套系統實現兩種模式,無需復雜的切換流程,簡潔方便;
2、動態離子切割技術,實現樣品的往復平移和旋轉,最大切割長度達10mm,有效減少投影/遮擋效應; 3、超大的平面拋光尺寸25×25mm(直徑×高),為原位實驗等大尺寸樣品提供可能; 4、能量 0.5-10kv 連續可調,既可滿足低能區減少非晶層,又可兼顧高能區大幅提高制樣效率。
氬離子拋光檢測實例
無機孔SEM圖像
有機孔SEM圖像
用于頁巖樣品制樣,離子平面拋光后的頁巖截面揭示樣品表面納米級孔隙。
2.半導體領域
離子切割后的手機柔性屏幕內部結構和材料特征SEM圖
3.能源電池材料領域
離子切割后的電池材料截面揭示其內部結構SEM圖
使用CP切割+掃描電鏡來研究電極粉末材料、電池循環后的極片、隔膜材料、電池(薄膜電池或固態電池)截面的微觀結構和元素組成等,對于了解電池及其材料的內部結構、反應機理、失效機制等具有重大意義。
4.新材料領域
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ArNanoFab 100 氬離子拋光機具有高效性、可靠性,能夠在短時間內完成高強度、高硬度材料的拋光,并且可以精確控制拋光過程,保證拋光效果的穩定性和一致性。